1

TOSHIBA(东芝)

SOT-883-3

TOSHIBA(东芝)-SSM3J56ACT1.应用高速交换机2。特点(1) 1.2 V驱动器(2)低漏极电阻：RDS（接通）=390 mΩ（最大）（@VGS=-4.5V）RDS（接通）=480 m…

2

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J378R1.应用程序（1）电源管理交换机2.特性(1) AEC-Q101合格（请参阅可订购零件号表）(2)1.5V栅极驱动电压。(3)低漏源电阻：R…

3

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J377R1.应用程序电源管理交换机2.特性(1) AEC-Q101合格（请参阅可订购零件号清单）(2)1.5V栅极驱动电压。(3)低漏源电阻：RDS（…

4

TOSHIBA(东芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J375F1.应用程序电源管理交换机2。特性(1) AEC-Q101合格（请参阅可订购零件号清单）(2)1.5V驱动(3)低漏源电阻：RDS（ON）= 31…

5

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J374R1.应用程序电源管理交换机2.特性(1) AEC-Q101合格（请参见可订购零件号表）(2)4.0-V栅极驱动电压。(3)低漏源电阻RDS（ON…

6

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J372R1.应用程序电源管理交换机2。特性(1) AEC-Q101合格（请参阅可订购零件号清单）(2)1.8V栅极驱动电压。(3)低漏源电阻RDS（…

7

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝）-SSM3J371R1.应用程序电源管理交换机2。特性(1) AEC-Q101合格（请参阅可订购零件号清单）(2)1.5V栅极驱动电压。(3)低漏源电阻：RD…

8

TOSHIBA(东芝)

0.108g 2-5W1A（SOP高级（N））

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。这些MOSFET具有小栅极电荷、小输出电荷、低漏源导通电阻…

9

TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

TOSHIBA(东芝)-SSM3J36TU1.应用○电源管理开关2.特性○1.5-V驱动器○低接通电阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-1…

10

TOSHIBA(东芝)

SC-75

TOSHIBA(东芝)-SSM3J36FS1.应用○电源管理开关2.特性○1.5-V驱动器○低接通电阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-1…

11

TOSHIBA(东芝)

SC-75

TOSHIBA(东芝)-SSM3J36FS1.应用○电源管理开关2.特性○1.5-V驱动器○低接通-电阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-…

12

TOSHIBA(东芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba XPN12006NC车用U-MOSVIII-H MOSFET符合AEC-Q101标准，采用紧凑的薄型TSON封装。XPN12006NC具有低漏极-源极导通电阻、低漏电流和增强模式…

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TOSHIBA(东芝)

SOT-723

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35MFV1.应用○高速开关应用○模拟开关应用2.特性○1.2 V驱动○低电阻：Ron=44Ω（最大）(@VGS=-1.2V）Ron=22Ω（最大）（@VG…

14

TOSHIBA(东芝)

SC-101(SOT-883)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35CTC1.应用程序模拟开关2.特点(1) 1.2 V驱动(2)低漏极电阻：RDS（ON）=3.2Ω（类型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（类型）…

15

TOSHIBA(东芝)

TO-220SIS

东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺，与上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，这是 MOSFET 的性能指标。RDS（on） 的降低使得将…

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TOSHIBA(东芝)

TO-220SIS

东芝π-MOS VII MOSFET是10V栅极驱动，单N沟道器件，将π-MOS技术与平面工艺相结合，以提供多种电压和RDS（ON）额定值。这些高压MOSFET的漏极-源…

17

TOSHIBA(东芝)

SC-101(SOT-883)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35CT1.应用○高速开关应用○模拟开关应用2.特性○1.2V驱动○低电阻：Ron=44Ω（最大）（@VGS=-1.2V）Ron=22Ω（最大）（@VGS…

18

TOSHIBA(东芝)

SOT-723

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35AMFV1.应用程序模拟开关2.特点(1) 1.2 V驱动(2)低漏极电阻：RDS（ON）=3.2Ω（类型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（类型…

19

TOSHIBA(东芝)

SC-75(SOT-416)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35AFS1.应用程序模拟开关2。特点(1) 1.2 V驱动(2)低漏极电阻：RDS（ON）=3.2Ω（类型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（类型…

20

TOSHIBA(东芝)

TO-220SIS

Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOS…