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XPN12006NC,L1XHQ是Toshiba XPN12006NC车用U-MOSVIII-H MOSFET

XPN12006NC,L1XHQ是Toshiba XPN12006NC车用U-MOSVIII-H MOSFET

作者：网站管理员发布时间：2024-09-21 浏览次数：

Toshiba XPN12006NC车用U-MOSVIII-H MOSFET符合AEC-Q101标准，采用紧凑的薄型TSON封装。XPN12006NC具有低漏极-源极导通电阻、低漏电流和增强模式。

Toshiba XPN12006NC U-MOSVIII-H功率MOSFET非常适合用于开关稳压器、直流-直流转换器、电机驱动器和汽车应用。

特性

符合AEC-Q101标准
小型、薄型封装

应用

汽车
开关稳压器

直流-直流转换器
电机驱动器

规范

低漏源导通电阻RDS(ON)=9.8mΩ（典型值）(VGS=10V)
低漏电流：IDSS=10µA（最大值） (VDS=60V)
增强模式：Vth=1.5V至2.5V（VDS=10V，ID=0.2mA）

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