XPHR7904PS,L1XHQ(O是Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET

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作者：网站管理员发布时间：2024-09-21 浏览次数：

Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和电机驱动器。这些MOSFET具有小栅极电荷、

小输出电荷、低漏源导通电阻和低漏电流。UMOS9-H N沟道MOSFET具有80V漏源电压、 ±20V栅极-源极电压以及175°C通道温度。

这些MOSFET还具有 ±0.1µA栅极漏电流、10µA漏极截止电流以及 -55°C至175°C存储温度范围。UMOS9-H N沟道MOSFET符合

RoHS指令，采用0.108g 2-5W1A（SOP高级（N））封装。

特性

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