TOSHIBA(东芝)-SSM3J56ACT

1.SSM3J56ACT应用

高速交换机

2.SSM3J56ACT特点

(1) 1.2 V驱动器
(2)低漏极电阻：
RDS（接通）=390 mΩ（最大）（@VGS=-4.5V）

RDS（接通）=480 mΩ（最大）（@VGS=-2.5V）

RDS（接通）=660 mΩ（最大）（@VGS=-1.8V）

RDS（接通）=900 mΩ（最大）（@VGS=-1.5V）

RDS（ON）=4000 mΩ（最大）（@VGS=-1.2V）

3.SSM3J56ACT绝对最大额定值（注）（除非另有规定，Ta = 25˚C）

注：在重负载下连续使用（如应用高温/电流/电压和温度的显著变化等）即使有运行条件（即运行温度/电流/电压等），也可能导致该产品的可靠性显著降低。在绝对最大评级范围内。请在审查东芝半导体可靠性手册（“处理注意事项”/“降低概念和方法”）和个别可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）后，设计适当的可靠性。注1：确保通道温度不超过150.注2：脉冲宽度（PW）≤10 ms，占空比= 1 %注3：设备安装在25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm FR4玻璃环氧树脂板（铜垫： 645 mm2）上

注：该晶体管对静电放电很敏感，应小心处理。注：本装置中的mosfet对静电放电很敏感。在操作该设备时，应保护工作台、操作人员、焊铁等物体的防静电放电。注：通道到环境的热阻Rth（ch-a）和排水功耗PD根据板材料、板面积、板厚度和垫面积而不同。在使用此设备时，一定要充分考虑散热因素。

4.SSM3J56ACT静态特性（除非另有规定，Ta = 25˚C）

注1：如果在栅极和源之间施加正向偏置，该设备进入V（BR）DSX模式。注意，在此模式下，排水管击穿电压降低。注2：设V为栅极和源极之间施加的电压，导致漏极电流（ID）以下（该设备为-1mA）。然后，对于正常的切换操作，VGS（ON）必须高于Vth，并且VGS（OFF）必须低于Vth。这种关系可以表示为： VGS（OFF）< Vth < VGS（ON）。在使用该设备时要考虑到这一点。注3：脉冲测量。