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作者：网站管理员 发布时间：2024-09-21 浏览次数：
东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺，与上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，
这是 MOSFET 的性能指标。RDS（on） 的降低使得将 RDS（on） 较低的芯片封装在同一封装中成为可
能。这有助于提高效率并减小电源的尺寸。东芝 DTMOSIV MOSFET 非常适合与开关稳压器一起使用。
特征
1.低漏源通电阻
2.易于控制门开关
3.与上一代相比，RDS（ON）减少30%
4.电源开关效率最高
5.减少成本
6.封装选项包括DPAK、IPAK、D2 PAK、8 mm x 8 mm DFN、I2 PAK、TO-220、TO-220 SIS、TO-247、TO-3 P（N）和TO-3 P（L）
应用程序
1.开关模式电源（SMPS）
2.照明
3.功率因数控制（PFC）
4.工业（包括 UPS）
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