欢迎来到深圳市瑞政微电子有限公司

CH EN

深圳市瑞政微电子有限公司

0755-82760106

投诉建议热线:

0755-83260671

在线客服:张先生

269850795

扫一扫关注微信

加微信添好友

在线客服:李先生

2437463531

扫一扫关注微信

加微信添好友

首页 - TOSHIBA -

SSM3J372R

SSM3J372R

作者:网站管理员    发布时间:2024-09-21    浏览次数:

 TOSHIBA(东芝)-SSM3J372R


1.SSM3J372R应用程序

  • 电源管理交换机



2.SSM3J372R特性

(1) AEC-Q101合格(请参阅可订购零件号清单)
(2)1.8V栅极驱动电压。
(3)低漏源电阻
RDS(开)=144 mΩ(最大)(@VGS=-1.8V)
RDS(开)=72.0 mΩ(最大)(@VGS=-2.5V)
RDS(接通)=50.0 mΩ(最大)(@VGS=-4.5V)
RDS(接通)=42.0 mΩ(最大)(@VGS=-10V)


3.SSM3J372R绝对最大额定值(注)(除非另有规定,Ta=25˚C)

注:在重负荷下连续使用(如应用高温/电流/电压和温度的显著变化等)即使有运行条件(即运行温度/电流/电压等),也可能导致该产品的可靠性显著降低。在绝对最大评级范围内。请在审查东芝半导体可靠性手册(“处理注意事项”/“降低概念和方法”)和个别可靠性数据(即可靠性测试报告和估计故障率等)后,设计适当的可靠性。注1:确保通道温度不超过150˚C。注2:脉冲宽度(PW)≤1 ms,占空比≤1%注3:安装在FR4电路板上的设备。(25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm,铜垫: 645 mm2)

注:本装置中的mosfet对静电放电很敏感。操作该设备时,应保护工作台、操作人员、焊铁等物体进行防静电放电。注:通道到环境的热阻Rth(ch-a)和排水功耗PD根据板材料、板面积、板厚度和垫面积而不同。在使用此设备时,一定要充分考虑散热因素

4.SSM3J372R静态特性(Ta=25˚C,除非另有规定)

注1:如果在栅极和源之间施加反向偏置,该设备将进入V(BR)DSX模式。注意,在此模式下,排水管击穿电压降低。注2:设V为栅极和源极之间施加的电压,导致漏极电流(ID)以下(该设备为-1mA)。然后,对于正常的切换操作,VGS(ON)必须高于Vth,并且VGS(OFF)必须低于Vth。这种关系可以表示为: VGS(OFF)< Vth < VGS(ON)。在使用该设备时要考虑到这一点。注3:脉冲测量。

5.SSM3J372R动态特性(Ta=25˚C,除非另有规定)

6.SSM3J372R栅极电荷特性(Ta=25˚C,除非另有规定)

7.SSM3J372R源-排水特性(Ta=25˚C,除非另有规定)

附件下载

下载次数:次数

上一篇:SSM3J371R

下一篇:SSM3J374R

联系我们:0755-82760106

投诉建议:0755-83260671

邮箱:jessie@ruizhengwei.com

总部地址:广东省深圳市龙岗区横岗街道荣德国际A座18F

微信公众号二维码

微信公众号二维码

Copyright © 2024深圳市瑞政微电子有限公司 版权所有 备案号:粤ICP备2024178191号-1 后台登录

回到顶部图片