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作者:网站管理员 发布时间:2024-09-21 浏览次数:
注:在重负荷下连续使用(如应用高温/电流/电压和温度的显著变化等)即使有运行条件(即运行温度/电流/电压等),也可能导致该产品的可靠性显著降低。在绝对最大评级范围内。请在审查东芝半导体可靠性手册(“处理注意事项”/“降低概念和方法”)和个别可靠性数据(即可靠性测试报告和估计故障率等)后,设计适当的可靠性。注1:确保通道温度不超过150˚C。注2:脉冲宽度(PW)≤1 ms,占空比≤1%注3:安装在FR4电路板上的设备。(25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm,铜垫: 645 mm2)
注:本装置中的mosfet对静电放电很敏感。操作该设备时,应保护工作台、操作人员、焊铁等物体进行防静电放电。注:通道到环境的热阻Rth(ch-a)和排水功耗PD根据板材料、板面积、板厚度和垫面积而不同。在使用此设备时,一定要充分考虑散热因素。
注1:如果在栅极和源之间施加反向偏置,该设备将进入V(BR)DSX模式。注意,在此模式下,排水管击穿电压降低。注2:设V为栅极和源极之间施加的电压,导致漏极电流(ID)以下(该设备为-1mA)。然后,对于正常的切换操作,VGS(ON)必须高于Vth,并且VGS(OFF)必须低于Vth。这种关系可以表示为: VGS(OFF)< Vth < VGS(ON)。在使用该设备时要考虑到这一点。注3:脉冲测量。
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