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TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3H137TU1. 应用 • 继电器驱动器 2.功能 （1）符合 AEC-Q101 （Rev. D） 标准。(2) 4.0V 栅极驱动电压。(3)低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 295…

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TOSHIBA(东芝)

TCSPED-302701

SSM14N956L一款12V共漏极N沟道MOSFET，额定电流为20A，主要应用于移动设备锂离子电池组的电池保护电路。为了提高锂离子电池组的安全性，高度稳定…

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TOSHIBA(东芝）

TO-220F-3

TK18A50D(STA4,Q,M)是东芝π-MOS VII MOSFET是10V栅极驱动，单N沟道器件，将π-MOS技术与平面工艺相结合，以提供多种电压和RDS（ON）额定值。这些…

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TOSHIBA(东芝)

TCSPAC-153001

SSM10N954L,EFF(S1. 应用 • 电池保护电路 2.特性 （1 低源源导通电阻 ： RSS（ON） = 2.2 mΩ （typ.） （@VGS = 3.8 V） ： RSS（ON） = 2.1 m…

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TOSHIBA(东芝)

TO-236-3

2SK2009(TE85L,F)• 高输入阻抗。• 低栅极阈值电压：Vth = 0.5 至 1.5 V• 出色的开关时间：ton = 0.06 μs（典型值）toff = 0.12 μs（典型值）…

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TOSHIBA(东芝)

SC-59

2SK1062(TE85L,F)• 出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）• 高正向转移容纳：|YFS |= 100 ms（最小值）@ID = 50 mA • 低导通电阻：RDS （ON）…

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TOSHIBA(东芝)

SC-59

2SJ305TE85LF• 高输入阻抗 • 低栅极阈值电压：Vth = −0.5 至 −1.5 V • 出色的开关时间：ton = 0.06 μs（典型值）toff = 0.15 μs（典型值）…

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TOSHIBA(东芝)

SC-59

2SJ168TE85LF• 出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）• 高正向转移容纳：|YFS |= 100 mS（最小值）@ID = −50 mA• 低导通电阻：RDS （ON） =…

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TOSHIBA(东芝）

SOT-23-3

SSM3J331R MOSFET硅P沟道MOS（U-MOS）■1.5V栅极驱动电压

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TOSHIBA(东芝)

SC-59

2SJ168TE85LF• 出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）• 高正向转移容纳：|YFS |= 100 mS（最小值）@ID = −50 mA • 低导通电阻：RDS （ON） …

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TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3J133TU电源管理开关应用• 1.5V 驱动 • 低导通电阻：RDS（ON） = 88.4 mΩ（最大值） （@VGS = -1.5 V）RDS（ON） = 56.0 mΩ（最大值） （…

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TOSHIBA/东芝

DFN-4

东芝TCR3UM 300mA低压差稳压器是具有开/关控制输入的CMOS通用单输出稳压器。TCR3UM185A具有超低静态偏置电流和低压差。LDO 支持 0.8V 至 5.0V 的…