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TK190A65Z,S4X是Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET

TK190A65Z,S4X是Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET

作者：网站管理员发布时间：2024-09-18 浏览次数：

Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。

该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。

650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏电流导通电阻。

这些器件具有10V漏源电压。

特性

低漏源导通电阻
高速开关特性，低电容
增强模式：Vth=3V至4V（VDS=10V）

规范

最大栅极漏电流：±1µA
输入电容 (CISS) 为2250pF、1635pF和1370pF
最大栅极阈值电压：3V至4V

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