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SSM3J35CTC

SSM3J35CTC

作者:网站管理员    发布时间:2024-09-21    浏览次数:

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35CTC


1.SSM3J35CTC应用程序

  •  模拟开关



2.SSM3J35CTC特点

(1) 1.2 V驱动
(2)低漏极电阻:
RDS(ON)=3.2Ω(类型)(@VGS=-1.2V)
RDS(ON)=2.3Ω(类型)(@VGS=-1.5V)
RDS(ON)=2.0Ω(典型版)(@VGS=-1.8V)
RDS(ON)=1.5Ω(类型)(@VGS=-2.5V)
RDS(ON)=1.1Ω(类型)(@VGS = -4.5 V)


3.SSM3J35CTC绝对最大额定值(注)(除非另有规定,Ta = 25˚C)

注:在重负荷下连续使用(如应用高温/电流/电压和温度的显著变化等)即使有运行条件(即运行温度/电流/电压等),也可能导致该产品的可靠性显著降低。在绝对最大评级范围内。请在审查东芝半导体可靠性手册(“处理注意事项”/“降低概念和方法”)和个别可靠性数据(即可靠性测试报告和估计故障率等)后,设计适当的可靠性。注1:确保通道温度不超过150˚C。注2:设备安装在25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm FR4玻璃环氧树脂板(Cu垫: 645 mm2)上

注:该晶体管对静电放电很敏感,应小心处理。注:本装置中的mosfet对静电放电很敏感。在操作该设备时,应保护工作台、操作人员、焊铁等物体的防静电放电。注:通道到环境的热阻Rth(ch-a)和排水功耗PD根据板材料、板面积、板厚度和垫面积而不同。在使用此设备时,一定要充分考虑散热因素

4.SSM3J35CTC静电放电试验(Ta=25˚C)

注:根据JEITA ED-4701标准进行了静电放电试验,并确认了上述结果。

5.SSM3J35CTC静态特性(除非另有规定,Ta = 25˚C)

注1:如果在栅极和源之间施加反向偏置,该设备将进入V(BR)DSX模式。请注意,在此模式下,排水管击穿电压降低。注2:设V为栅极和源极之间施加的电压,导致漏极电流(ID)低于(该设备为-100µA)。然后,对于正常的切换操作,VGS(ON)必须高于Vth,并且VGS(OFF)必须低于Vth。这种关系可以表示为: VGS(OFF)< Vth < VGS(ON)。在使用该设备时要考虑到这一点。注3:脉冲测量。

6.SSM3J35CTC动态特性(除非另有规定,Ta = 25˚C)

7.SSM3J35CTC源-排水特性(除非另有规定,Ta = 25˚C)

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