1

TOSHIBA(东芝)

TO-220

东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺，与上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，这是 MOSFET 的性能指标。RDS（on） 的降低使得将…

2

TOSHIBA(东芝)

DFN-4-EP(8x8)

Toshiba TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片设计，有各种型号可供选择。Si N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和快速反向恢复能力…

3

TOSHIBA(东芝)

DFN-4-EP(8x8)

东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺，与上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，这是 MOSFET 的性能指标。RDS（on） 的降低使得将…

4

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J358R1. 应用 • 电源管理开关2.特性 （1) 1.8 V 驱动 （2）低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 49.3 mΩ（最大值） （@VGS = -1.8…

5

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J356R1. 应用 • 电源管理开关 2.特性 （1）4 V 栅极驱动电压。 （2）低漏源导通电阻 ： RDS（ON） = 400 mΩ（最大值） （@V…

6

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J355R1. 应用• 电源管理开关2.特性 （1）1.8 V 驱动 （2) 低漏源导通电阻 ： RDS（ON） = 36.0 mΩ（典型值） （VGS = -1.8 …

7

TOSHIBA(东芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J353F1. 应用• 电源管理开关2.特性 （1） 4.0 V 栅极驱动电压。（2）低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 274 mΩ（最大值） （@VG…

8

TOSHIBA(东芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J352F1. 应用 • 电源管理开关2.特性 （1)1.8 V 栅极驱动电压（2）低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 443 mΩ （最大值） （@VGS …

9

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J351R1. 应用• 电源管理开关 2.特性 （1） 4 V 驱动 （2） 低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 107 mΩ（典型值） （VGS = -10 V）…

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J340R1. 应用• 电源管理开关 2.特性（1）4.0 V 驱动 （2） 低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 86 mΩ（最大值） （@VGS = -4.0 …

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J338R1.应用• 电源管理开关2.特点(1) 1.8 V栅极驱动电压。(2) 低漏源导通电阻: RDS (on) = 26.3 m Ω (typ.)(@ VGS = -1.8 V…

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TOSHIBA(东芝)

TSON-8(3.1x3.1)

XPN3R804NC,L1XHQ是Toshiba 车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻…

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J334R1.应用•电源管理开关应用 2.特性• 低导通电阻：RDS（ON） = 71 mΩ（最大值）（@VGS = -10 V） RDS（ON） = 105 mΩ（…

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TOSHIBA(东芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba 车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻，使用铜连接器。 …

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J332R1.应用•电源管理开关应用2.特性• 1.8 V 驱动 • 低导通电阻：RDS（ON） = 144 mΩ（最大值）（@VGS = -1.8 V）RDS（ON…

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TOSHIBA(东芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba 车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻，使用铜连接器。 …

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TOSHIBA(东芝)

DSOPADVANCE-8

Toshiba 车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻，使用铜连接器。 …

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TOSHIBA(东芝)

DSOPADVANCE-8

Toshiba 车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻，使用铜连接器。 …

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23

TOSHIBA(东芝)-SSM3J331R1. 应用 • 电源管理开关 2.特性 （1)1.5V 栅极驱动电压。 （2）低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 150 mΩ （最大值） （@V…

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J328R1.应用电源管理开关应用2.特性• 1.5 V 驱动• 低导通电阻：RDS（ON） = 88.4mΩ（最大值）（@VGS = -1.5 V） RDS（ON）…