1

TOSHIBA(东芝)

SC-75

TOSHIBA(东芝)-SSM3J36FS1.应用○电源管理开关2.特性○1.5-V驱动器○低接通-电阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-…

2

TOSHIBA(东芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba XPN12006NC车用U-MOSVIII-H MOSFET符合AEC-Q101标准，采用紧凑的薄型TSON封装。XPN12006NC具有低漏极-源极导通电阻、低漏电流和增强模式…

3

TOSHIBA(东芝)

SOT-723

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35MFV1.应用○高速开关应用○模拟开关应用2.特性○1.2 V驱动○低电阻：Ron=44Ω（最大）(@VGS=-1.2V）Ron=22Ω（最大）（@VG…

4

TOSHIBA(东芝)

SC-101(SOT-883)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35CTC1.应用程序模拟开关2.特点(1) 1.2 V驱动(2)低漏极电阻：RDS（ON）=3.2Ω（类型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（类型）…

5

TOSHIBA(东芝)

TO-220SIS

东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺，与上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，这是 MOSFET 的性能指标。RDS（on） 的降低使得将…

6

TOSHIBA(东芝)

TO-220SIS

东芝π-MOS VII MOSFET是10V栅极驱动，单N沟道器件，将π-MOS技术与平面工艺相结合，以提供多种电压和RDS（ON）额定值。这些高压MOSFET的漏极-源…

7

TOSHIBA(东芝)

SC-101(SOT-883)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35CT1.应用○高速开关应用○模拟开关应用2.特性○1.2V驱动○低电阻：Ron=44Ω（最大）（@VGS=-1.2V）Ron=22Ω（最大）（@VGS…

8

TOSHIBA(东芝)

SOT-723

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35AMFV1.应用程序模拟开关2.特点(1) 1.2 V驱动(2)低漏极电阻：RDS（ON）=3.2Ω（类型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（类型…

9

TOSHIBA(东芝)

SC-75(SOT-416)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J35AFS1.应用程序模拟开关2。特点(1) 1.2 V驱动(2)低漏极电阻：RDS（ON）=3.2Ω（类型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（类型…

10

TOSHIBA(东芝)

TO-220SIS

Toshiba 650V DTMOS-VI超级结MOSFET设计用于在开关电源下工作。该系列N沟道MOSFET具有高速开关特性和较低电容。 650V DTMOS-VI超级结MOSFET硅MOS…

11

TOSHIBA(东芝)

TO-220

东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺，与上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，这是 MOSFET 的性能指标。RDS（on） 的降低使得将…

12

TOSHIBA(东芝)

DFN-4-EP(8x8)

Toshiba TK16x60W Si N沟道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片设计，有各种型号可供选择。Si N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻和快速反向恢复能力…

13

TOSHIBA(东芝)

DFN-4-EP(8x8)

东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺，与上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，这是 MOSFET 的性能指标。RDS（on） 的降低使得将…

14

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J358R1. 应用 • 电源管理开关2.特性 （1) 1.8 V 驱动 （2）低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 49.3 mΩ（最大值） （@VGS = -1.8…

15

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J356R1. 应用 • 电源管理开关 2.特性 （1）4 V 栅极驱动电压。 （2）低漏源导通电阻 ： RDS（ON） = 400 mΩ（最大值） （@V…

16

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J355R1. 应用• 电源管理开关2.特性 （1）1.8 V 驱动 （2) 低漏源导通电阻 ： RDS（ON） = 36.0 mΩ（典型值） （VGS = -1.8 …

17

TOSHIBA(东芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J353F1. 应用• 电源管理开关2.特性 （1） 4.0 V 栅极驱动电压。（2）低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 274 mΩ（最大值） （@VG…

18

TOSHIBA(东芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J352F1. 应用 • 电源管理开关2.特性 （1)1.8 V 栅极驱动电压（2）低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 443 mΩ （最大值） （@VGS …

19

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J351R1. 应用• 电源管理开关 2.特性 （1） 4 V 驱动 （2） 低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 107 mΩ（典型值） （VGS = -10 V）…

20

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J340R1. 应用• 电源管理开关 2.特性（1）4.0 V 驱动 （2） 低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 86 mΩ（最大值） （@VGS = -4.0 …