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作者:网站管理员 发布时间:2024-09-14 浏览次数:
东芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先进的单外延工艺,与上一代 DTMOSIII 相比,RDS(on) 降低了 30%,
这是 MOSFET 的性能指标。RDS(on) 的降低使得将 RDS(on) 较低的芯片封装在同一封装中成为可能。
这有助于提高效率并减小电源的尺寸。东芝 DTMOSIV MOSFET 非常适合与开关稳压器一起使用。
特征:
低漏源通电阻
易于控制门开关
与上一代相比,RDS(ON)减少30%
电源开关效率最高
减少成本
封装选项包括DPAK、IPAK、D2 PAK、8 mm x 8 mm DFN、I2 PAK、TO-220、TO-220 SIS、TO-247、TO-3 P(N)和TO-3 P(L)
应用程序:
开关模式电源(SMPS)
照明
功率因数控制(PFC)
工业(包括 UPS)
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