欢迎来到深圳市瑞政微电子有限公司

CH EN

深圳市瑞政微电子有限公司

0755-82760106

投诉建议热线:

0755-83260671

在线客服:张先生

269850795

扫一扫关注微信

加微信添好友

在线客服:李先生

2437463531

扫一扫关注微信

加微信添好友

首页 - TOSHIBA -

SSM3J353F

SSM3J353F

作者:网站管理员    发布时间:2024-09-11    浏览次数:

TOSHIBA(东芝)-SSM3J353F


1.SSM3J353F 应用

 • 电源管理开关



2.SSM3J353F特性 

(1) 4.0 V 栅极驱动电压
(2)低漏源导通电阻 :
RDS(ON) = 274 mΩ(最大值) (@VGS = -4.0 V, ID = -0.5 A) 


RDS(ON) = 232 mΩ(最大值) (@VGS = -4.5 V, ID = -0.5 A)

RDS(ON) = 150 mΩ(最大值) (@VGS = -10 V, ID = -2.0 A)

3.SSM3J353F绝对最大额定值 (注) (除非另有说明,否则 Ta = 25 )


注:在重负载下连续使用(例如施加高温/电流/电压和温度的显着变化等)可能会导致本产品的可靠性显着下降,即使使用条件(即工作温度/电流/电压等)在绝对最大额定值范围内。请在查看东芝半导体可靠性手册(“处理注意事项”/“降额概念和方法”)和各个可靠性数据(即可靠性测试报告和估计故障率等)后设计适当的可靠性。

注 1:确保通道温度不超过 150 度

注 2:重复评级;脉冲宽度受最高通道温度限制。

注 3:安装在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃环氧树脂板上的器件(铜焊盘:645 mm2)注:该晶体管对静电放电敏感,应小心处理。注意:该器件中的 MOSFET 对静电放电敏感。处理此设备时,应保护工作台、操作员、烙铁和其他物体免受防静电放电。

注:通道到环境的热阻 Rth(ch-a) 和漏极功率耗散 PD 根据电路板材料、电路板面积、电路板厚度和焊盘面积而变化。使用此设备时,请务必充分考虑散热

4.SSM3J353F静电特性(除非另有说明,否则 Ta = 25 )

注 1:如果在门和源之间施加反向偏置,该器件将进入 V(BR)DSX 模式。请注意,在此模式下,漏极击穿电压会降低。注 2:脉冲测量。

5.SSM3J353F动态特性(除非另有说明,Ta= 25)

6.SSM3J353F栅极电荷特性(除非另有说明,Ta= 25 )

7.SSM3J353F源极-漏极特性(除非另有说明,Ta= 25 )

附件下载

下载次数:次数

上一篇:SSM3J352F

下一篇:SSM3J355R

联系我们:0755-82760106

投诉建议:0755-83260671

邮箱:jessie@ruizhengwei.com

总部地址:广东省深圳市龙岗区横岗街道荣德国际A座18F

微信公众号二维码

微信公众号二维码

Copyright © 2024深圳市瑞政微电子有限公司 版权所有 备案号:粤ICP备2024178191号-1 后台登录

回到顶部图片