1

TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

TOSHIBA(东芝)-SSM3J144TU1. 应用 • 电源管理开关2.特性 （1 ）符合 AEC-Q101 标准（请参阅可订购零件编号列表）（2）1.5 V 栅极驱动电压。（3）…

2

TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3J140TU1. 应用 • 电源管理开关2.特性 （1）符合 AEC-Q101 标准（2）1.5 V 栅极驱动电压。（3）低漏源导通电阻 RDS（ON） = 63.2 mΩ（最大值…

3

TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3J135TU电源管理开关应用 • 1.5 V 驱动• 低导通电阻：RDS（ON） = 260 mΩ （最大值） （@VGS = -1.5 V） RDS（ON） = 180 mΩ （最大值） …

4

TOSHIBA(东芝)

TO-247

TK 16 N60 W Si N沟道MOSIV（DTMOSIV）采用了DTMOSIV一代的芯片设计，并有不同的变体。

5

TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3J134TU电源管理开关应用 • 1.5 V 驱动 • 低导通电阻：RDS（ON） = 240 mΩ （最大值） （@VGS = -1.5 V）RDS（ON） = 168 mΩ （最大值） …

6

TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3J132TU电源管理开关应用• 1.2 V 驱动 • 低导通电阻：RDS（ON） = 94 mΩ（最大值）（@VGS = -1.2 V）RDS（ON） = 39 mΩ（最大值）（@VGS …

7

TOSHIBA(东芝)

SMD-3

SSM3J130TU电源管理开关应用• 1.5 V 驱动 • 低导通电阻：RDS（ON） = 63.2 mΩ（最大值） （@VGS = -1.5 V）RDS（ON） = 41.1 mΩ（最大值） （…

8

TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3J118TU高速开关应用• 4 V 驱动 • 低导通电阻：Ron = 480 mΩ（最大值）（@VGS = −4 V）Ron = 240 mΩ（最大值）（@VGS = −10 V）

9

TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3J117TUDC-DC 转换器应用 高速开关应用 • 4 V 驱动• 低导通电阻：RDS（ON） = 225 mΩ（最大值）（@VGS = −4 V）RDS（ON） = 117 mΩ（最大…

10

TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3J112TU,LF应用范围 ：DC-DC 转换器 / 高速开关极性：P 通道内部连接 ：单引 脚：3安装：表面贴装宽长高（mm）：2.02.10.7

11

TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3H137TU1. 应用 • 继电器驱动器 2.功能 （1）符合 AEC-Q101 （Rev. D） 标准。(2) 4.0V 栅极驱动电压。(3)低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 295…

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TOSHIBA(东芝)

TCSPED-302701

SSM14N956L一款12V共漏极N沟道MOSFET，额定电流为20A，主要应用于移动设备锂离子电池组的电池保护电路。为了提高锂离子电池组的安全性，高度稳定…

13

TOSHIBA(东芝）

TO-220F-3

TK18A50D(STA4,Q,M)是东芝π-MOS VII MOSFET是10V栅极驱动，单N沟道器件，将π-MOS技术与平面工艺相结合，以提供多种电压和RDS（ON）额定值。这些…

14

TOSHIBA(东芝)

TCSPAC-153001

SSM10N954L,EFF(S1. 应用 • 电池保护电路 2.特性 （1 低源源导通电阻 ： RSS（ON） = 2.2 mΩ （typ.） （@VGS = 3.8 V） ： RSS（ON） = 2.1 m…

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TOSHIBA(东芝)

TO-236-3

2SK2009(TE85L,F)• 高输入阻抗。• 低栅极阈值电压：Vth = 0.5 至 1.5 V• 出色的开关时间：ton = 0.06 μs（典型值）toff = 0.12 μs（典型值）…

16

TOSHIBA(东芝)

SC-59

2SK1062(TE85L,F)• 出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）• 高正向转移容纳：|YFS |= 100 ms（最小值）@ID = 50 mA • 低导通电阻：RDS （ON）…

17

TOSHIBA(东芝)

SC-59

2SJ305TE85LF• 高输入阻抗 • 低栅极阈值电压：Vth = −0.5 至 −1.5 V • 出色的开关时间：ton = 0.06 μs（典型值）toff = 0.15 μs（典型值）…

18

TOSHIBA(东芝)

SC-59

2SJ168TE85LF• 出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）• 高正向转移容纳：|YFS |= 100 mS（最小值）@ID = −50 mA• 低导通电阻：RDS （ON） =…

19

TOSHIBA(东芝）

SOT-23-3

SSM3J331R MOSFET硅P沟道MOS（U-MOS）■1.5V栅极驱动电压

20

TOSHIBA(东芝)

SC-59

2SJ168TE85LF• 出色的开关时间：ton = 14 ns（典型值）• 高正向转移容纳：|YFS |= 100 mS（最小值）@ID = −50 mA • 低导通电阻：RDS （ON） …