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TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J338R1.应用• 电源管理开关2.特点(1) 1.8 V栅极驱动电压。(2) 低漏源导通电阻: RDS (on) = 26.3 m Ω (typ.)(@ VGS = -1.8 V…

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TOSHIBA(东芝)

TSON-8(3.1x3.1)

XPN3R804NC,L1XHQ是Toshiba 车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻…

3

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J334R1.应用•电源管理开关应用 2.特性• 低导通电阻：RDS（ON） = 71 mΩ（最大值）（@VGS = -10 V） RDS（ON） = 105 mΩ（…

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TOSHIBA(东芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba 车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻，使用铜连接器。 …

5

TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J332R1.应用•电源管理开关应用2.特性• 1.8 V 驱动 • 低导通电阻：RDS（ON） = 144 mΩ（最大值）（@VGS = -1.8 V）RDS（ON…

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TOSHIBA(东芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba 车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻，使用铜连接器。 …

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TOSHIBA(东芝)

DSOPADVANCE-8

Toshiba 车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻，使用铜连接器。 …

8

TOSHIBA(东芝)

DSOPADVANCE-8

Toshiba 车规级U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N沟道功率MOSFET，是汽车应用的理想选择。它们具有采用专有技术的低导通电阻，使用铜连接器。 …

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23

TOSHIBA(东芝)-SSM3J331R1. 应用 • 电源管理开关 2.特性 （1)1.5V 栅极驱动电压。 （2）低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 150 mΩ （最大值） （@V…

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J328R1.应用电源管理开关应用2.特性• 1.5 V 驱动• 低导通电阻：RDS（ON） = 88.4mΩ（最大值）（@VGS = -1.5 V） RDS（ON）…

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TOSHIBA(东芝)

CST3

TOSHIBA(东芝)-SSM3J16CT1.应用用于高速开关， 用于模拟开关，2.特性(1)紧凑的封装， 非常适合高密度封装(2)低导通电阻。 ：RDS（ON） = 8 Ω （…

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23F

TOSHIBA(东芝)-SSM3J327R1. 应用 • 电源管理开关 2.特性 （1） 1.5 V 驱动（2）低漏源导通电阻 ：RDS（ON） = 240 mΩ（最大值） （@VGS = -1.5…

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23

TOSHIBA(东芝)-SSM3J325F1.应用• 电源管理开关应用2.特性• 1.5 V 驱动 • 低导通电阻：RDS（ON） = 311 mΩ（最大值）（@VGS = -1.5 V） RDS（…

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TOSHIBA(东芝)

SOT-23-3

TOSHIBA(东芝)-SSM3J168F1. 应用 • 高速开关 • 模拟开关• 接口 2.特性 （1） 符合 AEC-Q101 标准（请参阅可订购的零件编号列表）（2） 4.0 V…

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TOSHIBA(东芝)

SOT-723

TOSHIBA(东芝)-SSM3J15FV 高速开关应用 模拟开关应用 • 最适合在小型封装中进行高密度安装 • 低导通电阻：RDS（ON） = 12 Ω （max） （@VGS =…

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TOSHIBA(东芝)

SC-70(SOT-323)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J15FU高速开关应用 模拟开关应用• 小型封装• 低导通电阻 ：Ron = 12 Ω （最大值） （@VGS = −4 V） Ron = 32 Ω （最大值…

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TOSHIBA(东芝)

SC-75(SOT-416)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J15FS• 高速开关应用 模拟开关应用• 小型封装• 低导通电阻 Ron = 12 Ω （最大值） （@VGS = −4 V） Ron = 32 Ω （最大值…

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TOSHIBA(东芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(东芝)-SSM3J15F1. 应用 • 电源管理开关2.特性 （1)符合 AEC-Q101 标准（请参阅可订购零件编号列表）（2）1.5 V 栅极驱动电压。（3）低漏…

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TOSHIBA(东芝)

CST-3

TOSHIBA(东芝)-SSM3J15CT高速开关应用 模拟开关应用• 最适合在小型封装中进行高密度安装 • 低导通电阻：Ron = 12 Ω （max） （@VGS = −4 V）…

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TOSHIBA(东芝)

SMD-3P

SSM3J145TU1. 应用• 电源管理开关2.特性 （1） 符合 AEC-Q101 标准（请参阅可订购零件编号列表）（2）1.5 V 栅极驱动电压。（3）低漏源导通电阻…