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SSM3J331R,LF

作者：网站管理员发布时间：2024-08-30 浏览次数：

SSM3J331R MOSFET硅P沟道MOS（U-MOS）

●特性

■1.5V栅极驱动电压
■低漏源导通电阻：
▲RDS（ON）=150 mΩ（最大值）（在VGS=-1.5 V时）
▲RDS（ON）=100 mΩ（最大值）（在VGS=-1.8 V时）
▲RDS（On）=75 mΩ（最大值）（VGS为-2.5 V时）

▲RDSON=55 MΩ（最大值）VGS为-4.5 V

●包装和引脚设置

下载次数：次数

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