TOSHIBA(东芝)-SSM3J331R

1.SSM3J331R应用

• 电源管理开关

2.SSM3J331R特性

（1)1.5V 栅极驱动电压
（2）低漏源导通电阻：
RDS（ON） = 150 mΩ （最大值）（@VGS = -1.5 V）
RDS（ON） = 100 mΩ（最大值）（@VGS = -1.8 V）
RDS（ON） = 75 mΩ（最大值）（@VGS = -2.5 V）
RDS（ON） = 55 mΩ（最大值）（@VGS = -4.5 V）

3.SSM3J331R绝对最大额定值（注）（除非另有说明，否则 Ta = 25）

注：在重负载下连续使用（例如施加高温/电流/电压和温度的显着变化等）可能会导致本产品的可靠性显着下降，即使使用条件（即工作温度/电流/电压等）在绝对最大额定值范围内。请在查看东芝半导体可靠性手册（“处理注意事项”/“降额概念和方法”）和各个可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）后设计适当的可靠性。注 1：确保通道温度不超过 150。注 2：脉冲宽度（PW） ≤ 10 ms，占空≤比 1% 注 3：安装在 FR4 板上的器件。（25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm，铜垫：645 mm2）

4.SSM3J331R静态特性（Ta = 25 除非另有说明）

注 1：如果在栅极和源之间施加反向偏置，则该器件进入 V（BR）DSX 模式。请注意，在此模式下，漏极击穿电压会降低。注 2：设 Vth 为施加在栅极和源极之间的电压，该电压导致漏极电流（ID）低于（本器件为 -1 mA）。然后，对于正常的开关操作，VGS（ON）必须高于 Vth，VGS（OFF）必须低于 Vth。此关系可以表示为：VGS（OFF） < Vth < VGS（ON）。使用设备时请考虑这一点。注 3：脉冲测量。