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作者：网站管理员 发布时间：2024-09-04 浏览次数：
RDS（ON） = 25.8 mΩ（最大值） （@VGS = -4.5 V）
注：在重负载下连续使用（例如施加高温/电流/电压和温度的显着变化等）可能会导致本产品的可靠性显着下降，即使使用条件（即工作温度/电流/电压等）在绝对最大额定值范围内。请在查看东芝半导体可靠性手册（“处理注意事项”/“降额概念和方法”）和各个可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）后设计适当的可靠性。注 1：安装在陶瓷板上。（25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm，铜垫：645 mm2）注 2：安装在 FR4 板上。（25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm，铜垫：645 mm2）
注 3：脉冲测试 注 4：如果在栅极和源之间施加正向偏置，则该器件将进入 V（BR）DSX 模式。请注意，在此模式下，漏源击穿电压会降低。
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