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SSM3J145TU

SSM3J145TU

作者:网站管理员    发布时间:2024-09-05    浏览次数:

SSM3J145TU

1.SSM3J145TU 应用

 • 电源管理开关

 2.SSM3J145TU特性 

(1)  符合 AEC-Q101 标准(请参阅可订购零件编号列表)
(2)1.5 V 栅极驱动电压。
(3)低漏源导通电阻 
 RDS(ON) = 260 mΩ(最大值)(@VGS = -1.5 V)
 RDS(ON) = 180 mΩ(最大值)(@VGS = -1.8 V)
 RDS(ON) = 132 mΩ(最大值) (@VGS = -2.5 V)
 RDS(ON) = 103 mΩ(最大值)(@VGS = -4.5 V)

3.SSM3J145TU封装和引脚配置

4.SSM3J145TU绝对最大额定值 (注) (除非另有说明,否则 Ta = 25 )

注:在重负载下连续使用(例如施加高温/电流/电压和温度的显着变化等)可能会导致本产品的可靠性显着下降,即使使用条件(即工作温度/电流/电压等)在绝对最大额定值范围内。请在查看东芝半导体可靠性手册(“处理注意事项”/“降额概念和方法”)和各个可靠性数据(即可靠性测试报告和估计故障率等)后设计适当的可靠性。注 1:确保通道温度不超过 150 °C。注 2:脉冲宽度 (PW) ≤ 10 ms,占空比 ≤ 1% 注 3:安装在 FR4 板上的设备。(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm,铜垫:645 mm2)注意:该器件中的 MOSFET 对静电放电敏感。处理此设备时,应保护工作台、操作员、烙铁和其他物体免受防静电放电。注:通道到环境的热阻 Rth(ch-a) 和漏极功率耗散 PD 根据电路板材料、电路板面积、电路板厚度和焊盘面积而变化。使用此设备时,请务必充分考虑散热

5.SSM3J145TU静态特性(Ta = 25,除非另有说明)

注 1:如果在栅极和源之间施加反向偏置,则该器件进入 V(BR)DSX 模式。请注意,在此模式下,漏极击穿电压会降低。注 2:设 Vth 为施加在栅极和源极之间的电压,该电压导致漏极电流 (ID) 低于 (本器件为 -1 mA)。然后,对于正常的开关操作,VGS(ON) 必须高于 Vth,VGS(OFF) 必须低于 Vth。此关系可以表示为:VGS(OFF) < Vth < VGS(ON)。使用设备时请考虑这一点。注 3:脉冲测量

6.SSM3J145TU动态特性(除非另有说明,否则 Ta = 25)

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