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AGM4005LLM1

AGM4005LLM1

作者:网站管理员    发布时间:2024-07-08    浏览次数:


芯控源AGM4005LLM1详情:   1个N沟道,漏源电压(Vdss): 40V,连续漏极电流(Id):330A,功率(Pd): 305W


●产品概述

  AGM4005LLM1结合了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低电阻封装,可提供极低的RDS(ON)。该设备是负载开关和电池保护应用的理想选择。

●产品特点

    ■先进的高电池密度沟槽技术 ■低RDS(ON)可将导电损耗降到最低 ■低栅极充电快速开关 ■低热阻

●应用

   ■MB/VGAV核心 ■SMPS2nd同步整流器 ■POL应用 ■BLDC驱动器


mos管选型

 

选择合适的MOS需要考虑多个关键参数和因素,以确保其性能满足特定应用的需求。以下是一些重要的参数和步骤,用于指导MOS管的选型:12

1. 额定电压(Vds:确保MOS管的额定电压高于工作电压,以提供足够的安全余量。对于感性负载或高开关频率的应用,需要考虑更大的耐压余量。

2. 额定电流(Id:也称为连续漏极电流,是指MOS管在正常工作条件下能够承受的最大电流。应确保其额定电流高于预期的工作电流,以避免过载损坏。

3. 导通电阻(Rds(on):较低的导通电阻可以减少功率损耗和发热,提高系统的效率。应根据散热条件和功率损耗要求来选择合适的导通电阻。

4. 栅极到源极阈值电压(Vgs(th):是指使MOS管从截止状态转变为导通状态所需的最小栅源电压。应确保栅极电压高于阈值电压,以保证MOS管能够可靠地导通。

5. 封装类型:封装类型影响MOS管的安装、散热和电气性能。应根据PCB的尺寸和内部高度限制,选择适合的封装类型。

6. 脉冲漏极电流(ID脉冲):在系统启动期间可能会有很高的浪涌电流,只要不超过规定值,MOS管就不会有问题。

7. 功耗MOS管的Datasheet将提供额定功率耗散或者功率耗散能力。功耗是结温、实际工作温度和热阻的函数。

8. 工作和储存温度:指定MOS管在运行时安全运行的温度范围。存储温度也指定了相同的范围,超出这个限制运行会损坏MOS管。

9. 热特性:热阻用于计算MOS管在工作温度下相应的额定功率耗散。

选择功率MOS管的步骤包括:

· 找出应用的所有参数,例如最大电压、最大电流和工作温度。

· 找出电路的总负载。

· 计算MOSFET所需的峰值电流和峰值负载。

· 找出系统的效率。

· 计算有损耗的负载。

· 增加安全系数(视操作温度而定)。

· 检查设备是否将作为双向设备运行。

通过综合考虑这些参数和步骤,可以选出最适合特定应用的MOS管。

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