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AGM306D

作者：网站管理员发布时间：2024-06-29 浏览次数：

芯控源AGM306D详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 60A，功率(Pd): 51W

●产品概述

AGM306A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。

●产品特点

■ 先进的高电池密度沟槽技术 ■ 低导通电阻（ON），可最大限度地降低导电损耗 ■ 低栅极电荷，可实现快速开关 ■ 低热阻 ■ 100% 雪崩测试

●应用

■MB/VGAV核 ■SMPS 第二同步整流器 ■POL应用 ■BLDC电机驱动器

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芯控源AGM306D详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 60A，功率(Pd): 51W

●产品概述

AGM306A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。

●产品特点

■ 先进的高电池密度沟槽技术 ■ 低导通电阻（ON），可最大限度地降低导电损耗 ■ 低栅极电荷，可实现快速开关 ■ 低热阻 ■ 100% 雪崩测试

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■MB/VGAV核 ■SMPS 第二同步整流器 ■POL应用 ■BLDC电机驱动器

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