AGM308AP

在线客服：张先生

269850795

加微信添好友

在线客服：李先生

2437463531

加微信添好友

产品中心

首页 - AGMSEMI -

AGM308AP

作者：网站管理员发布时间：2024-06-29 浏览次数：

芯控源AGM308AP详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 40A，功率(Pd): 24W

●产品概述

AGM308AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。

●产品特点

■先进的高电池密度沟槽技术 ■ 低导通电阻（ON），可最大限度地降低导电损耗 ■ 低栅极电荷，可实现快速开关 ■ 低热阻

●应用

■ MB/VGA核心 ■ SMPS第二同步整流器 ■ POL应用 ■ BLDC电机干

附件下载

AGM308AP_规格书.PDF

下载次数：次数

下载

上一篇：AGM306D

下一篇：AGM308SR

热门产品

关于我们: - 公司介绍; - 联系我们

产品中心: - MELEXIS; - TOSHIBA; - TRINAMIC; - ST; - Onsemi; - AGMSEMI; - TI; - MPS; - ADI; - INFINEON

客户案例: - 公司案例; - 产品案例

新闻资讯: - 公司新闻; - 产品新闻; - 热点新闻

合作伙伴: - 授权代理; - 现货分销

联系我们:0755-82760106

投诉建议:0755-83260671

邮箱：jessie@ruizhengwei.com

总部地址：广东省深圳市龙岗区横岗街道荣德国际A座18F

微信公众号二维码

欢迎来到深圳市瑞政微电子有限公司

首页

新闻资讯

产品中心

案例中心

合作品牌

公司介绍

联系我们

产品中心

芯控源AGM308AP详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 40A，功率(Pd): 24W

●产品概述

AGM308AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。该器件非常适合负载开关和电池保护应用。

●产品特点

■先进的高电池密度沟槽技术 ■ 低导通电阻（ON），可最大限度地降低导电损耗 ■ 低栅极电荷，可实现快速开关 ■ 低热阻

●应用

■ MB/VGA核心 ■ SMPS第二同步整流器 ■ POL应用 ■ BLDC电机干

附件下载

热门产品