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AGM301A1

作者：网站管理员发布时间：2024-06-24 浏览次数：

芯控源AGM301A1详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 150A，功率(Pd): 108W

●产品概述

AGM301A1结合了先进的沟槽MOSFET技术，采用低电阻封装，提供极低的RDS（ON）。该设备是负载开关和电池保护应用的理想选择。

●产品特点

■先进的高电芯密度沟槽技术 ■LowRDS（ON）最小化导电损耗 ■低栅极电荷用于快速切换 ■低热阻 ■100%雪崩测试 ■100%DVD测试

●产品应用

■MB/VGAV核 ■SMPS2ndSynchronous整流 ■POL应用■BLDC电机驱动

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芯控源AGM301A1详情: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 30V，连续漏极电流(Id): 150A，功率(Pd): 108W

●产品概述

AGM301A1结合了先进的沟槽MOSFET技术，采用低电阻封装，提供极低的RDS（ON）。该设备是负载开关和电池保护应用的理想选择。

●产品特点

■先进的高电芯密度沟槽技术 ■LowRDS（ON）最小化导电损耗 ■低栅极电荷用于快速切换 ■低热阻 ■100%雪崩测试 ■100%DVD测试

●产品应用

■MB/VGAV核 ■SMPS2ndSynchronous整流 ■POL应用■BLDC电机驱动

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