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首页 - 场效应管 -

FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

作者:网站管理员    发布时间:2022-05-06    浏览次数:

产品属性
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 onsemi
系列 QFET®
包装 卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 115 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.4 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 350 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号 FQD13N06

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