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RZM002P02T2L

作者：网站管理员发布时间：2022-05-05 浏览次数：

产品属性

类型描述

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装卷带（TR）

剪切带（CT）

零件状态在售

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.4 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值） ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 115 pF @ 10 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 150mW（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装 VMT3

封装/外壳 SOT-723

基本产品编号 RZM002

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