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MELEXIS/迈来芯

TO39-4

MelexisMLX90640ESF-BAA-000-TU远红外热传感器是一款完全校准的32X24像素热红外阵列采用紧凑的行业标准4脚T039封装，具有数字接口，包含768个FIR…

2

ST

LQFP-48

意法半导体STM32F071CBT6入门级Arm Cortex-M0 MCU提供32位性能。STM32 F0 MCU结合了STM32平台的实时性能、低功耗运行以及先进的架构和外设。STM3…

3

ST

SOIC-20

L6205PD013TR是ST 意法半导体一款专为电机控制应用而设计的 DMOS 双全桥，采用 MultiPower-BCD 技术实现，该技术在同一芯片上将隔离式 DMOS 功率…

4

ams/艾迈斯半导体

TSSOP-14

AS5047P 14 位轴上磁性旋转位置传感器，具有 12 位十进制和二进制增量脉冲数，可实现 28krpm 的高速能力

5

AGMSEMI/芯控源

PDFN(5x6)

芯控源的AGM042N10A类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 100V，连续漏极电流(Id):110A，功率(Pd):142W

6

AGMSEMI/芯控源

TO-252

芯控源的AGM15N10D类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 100V，连续漏极电流(Id):15A，功率(Pd):46W

7

AGMSEMI/芯控源

TOLL-8L

芯控源的AGM1075D类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 100V，连续漏极电流(Id):300A，功率(Pd):500W

8

AGMSEMI/芯控源

PDFN(5x6)

芯控源的AGM035N10A类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 100V，连续漏极电流(Id):112A，功率(Pd):104W

9

AGMSEMI/芯控源

TO-252

芯控源的AGM1075D类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 100V，连续漏极电流(Id):16A，功率(Pd):35W

10

AGMSEMI/芯控源

TO-252

芯控源的AGM18N10D类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 100V，连续漏极电流(Id):40A，功率(Pd):30W

11

AGMSEMI/芯控源

TO-263

芯控源的AGMH056N08HM1类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 85V，连续漏极电流(Id):142A，功率(Pd):240W

12

AGMSEMI/芯控源

TOLL-8L

芯控源的AGM016T08LL类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 85V，连续漏极电流(Id):280A，功率(Pd):378W

13

AGMSEMI/芯控源

TOLL-8L

芯控源的AGM01T08LL类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 85V，连续漏极电流(Id):300A，功率(Pd):500W

14

AGMSEMI/芯控源

TO-220

芯控源的AGMH056N08C类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 85V，连续漏极电流(Id):142A，功率(Pd):240W

15

AGMSEMI/芯控源

DFN(5x6)

芯控源的AGMH056N08A类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 85V，连续漏极电流(Id):142A，功率(Pd):240W

16

AGMSEMI/芯控源

TO-220

芯控源的AGM056N08C类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 85V，连续漏极电流(Id):120A，功率(Pd):173.6W

17

AGMSEMI/芯控源

TO-263

芯控源的AGM025N08H类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 85V，连续漏极电流(Id):180A，功率(Pd):250W

18

AGMSEMI/芯控源

TO-263

芯控源的AGM03N85H类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 85V，连续漏极电流(Id):140A，功率(Pd):227W

19

AGMSEMI/芯控源

PDFN5x6

芯控源的AGM028N08A类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 85V，连续漏极电流(Id):170A，功率(Pd):167W

20

AGMSEMI/芯控源

TO-220C

芯控源的AGM70N07C类型: 1个N沟道，漏源电压(Vdss): 70V，连续漏极电流(Id):70A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.8mΩ@10V,10A